반도체공부/반도체 공통요소기술5 반도체 공통요소기술의 이해_플라즈마 장비 주변부 - Scrubber, Pump 6차시_플라즈마 장비 주변부 - Scrubber, PumpPump 2023. 7. 16. 반도체 공통요소기술의 이해_플라즈마 장비 주요부 MFC, Vaporizer 4차시_플라즈마 장비 주요부 MFC, VaporizerMFC 구성 및 특징 MFC는 반도체 공정 장비에서 사용되는 유량제어 기술 중 하나임. 반도체 제조에서는 다양한 Gas가 사용되며, 이러한 Gas를 정확하게 제어하는 것이 반도체 제조 공정의 품질과 안정성을 유지로 이어짐. Recipe반도체 공정에서 Recipe라는 공정 운영 방식을 사용합니다. 이는 각각의 요소 기술들을 조합하여 반도체 칩을 생성합니다. 반도체 공정에서 정량의 Gas를 필요한 시점에 주입하여 엔지니어가 원하는 반도체 칩을 생성할 수 있도록 함. ▶ MFC는 원하는 Gas를 명령하면 자동으로 원하는 유량을 측정하고 제어 ▶ 반도체 공정 설비에서는 수십 개의 MFC를 운영 유량의 단위 어떤 단위를 사용할 것 인가? → Gas는 온도.. 2023. 7. 15. 반도체 공통요소기술의 이해_반도체 플라즈마 장비 및 진공 부품 이해 3차시_반도체 플라즈마 장비 및 진공 부품 이해 진공 / 플라즈마 장비의 중요성 반도체 공정을 진행하기 위해서는 진공과 플라즈마가 반드시 필요한 요소입니다. 이는 내부에 존재하는 기체가 적기도 하지만 오염도가 낮아 불량율을 낮추는데 큰 기인을 합니다. 그리고 공정 시간을 단축시키고 제어가 용이한 플라즈마 형성이 가능하다는 장점을 가지고 있습니다. 각 플라즈마 장비에서 진공에 따라 공정의 특성이 달라질 수 있습니다. 고순도의 공정을 진행할 수 있으며 분석을 진행할 때에도 진공을 이용하여 대기 중의 노출을 방지하거나 외부로부터 표면이 오염되는 것을 방지하는 목적으로 사용합니다. 그렇다면 이렇게 중요한 진공 및 플라즈마 장비는 실제 산업에서 많은 비중을 차지하고 있을까요? 반도체 장비의 비중은 전공정 70%.. 2023. 7. 14. 반도체 공통요소기술의 이해_반도체 공통요소 기술-진공, 플라즈마 2차시_반도체 공통요소 기술-진공, 플라즈마진공이란 무엇인가?진공은 사전적 정의는 "물질이 전혀 존재하지 않는 공간" 입니다. 즉, 아무것도 없는 공간을 의미합니다. 우주는 진공이며, 중력이 없으니 공기도 없고 물질도 없습니다. 토리첼리의 실험을 통해 진공을 원리를 알 수 있습니다. 한쪽이 막힌 1m 길이의 유리관에 수은을 가득 넣고 막히지 않는 쪽을 수은 가득 곳에 수직으로 세우면 1m 길이의 유리관에서 760mm의 높이까지 내려오고 멈추게 됩니다. 이것은 대기압에 의한 것이며, 관의 위쪽에는 진공이 생깁니다. 또한 이것을 우리는 대기압의 압력으로 표현하고 표기하게된 계기가 된 것입니다. [ 760mmHg (밀리미터머큐리) ] 다시 본론으로 돌아와서, 일상생활에서 진공을 경험할 수 있는게 무엇이 있을.. 2023. 7. 13. 이전 1 2 다음
